规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 59A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1986pF @ 50V |
| Power - Max | 1.5W (Ta), 93W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 (Type E) |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMTH10H017LPDQ-13产品描述
DMTH10H017LPDQ-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V。
DMTH10H017LPDQ-13 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（28.6nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1986pF @ 50V）、Power - Max（1.5W (Ta), 93W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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