规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.4nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2504pF @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | X4-DSN3015-10 |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMN12M8UCA10-7产品描述
DMN12M8UCA10-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)。
DMN12M8UCA10-7 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.8mOhm @ 6A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.4V @ 1.11mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（36.4nC @ 4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2504pF @ 10V）、Power - Max（1.4W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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