IRFI4020H-117PXKMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 IRFI4020H-117PXKMA1
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 25V |
| Power - Max | 21W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-5 Full Pack, Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-220-5 Full-Pak |
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 IRFI4020H-117PXKMA1产品描述
IRFI4020H-117PXKMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V。
IRFI4020H-117PXKMA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.9V @ 100µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（29nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1240pF @ 25V）、Power - Max（21W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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