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EPC2111

¥22.03
FET、MOSFET 阵列
意法半导体

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Power - Max-
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

关于 EPC2111

EPC2111 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V。

EPC2111 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(230pF @ 15V, 590pF @ 15V)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体(EPC)作为氮化镓(GaN)功率管理器件领域的创新领导者,始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基(eGaN®)场效应晶体管,成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃,为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。

EPC2111 现货供应,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 产品的专业分销商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,直接来源于制造商授权渠道。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价,获取 EPC2111 的最新价格和交期信息。

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EPC2111 是什么类型的电子元器件?

EPC2111 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 EPC2111 的规格书和引脚图?

本页面提供 EPC2111 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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