DMN2710UVQ-7 德利通FET、MOSFET 阵列
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMN2710UVQ-7
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 920mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 16V |
| Power - Max | 500mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMN2710UVQ-7产品描述
DMN2710UVQ-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)。
DMN2710UVQ-7 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（450mOhm @ 600mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.6nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（42pF @ 16V）、Power - Max（500mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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