AONL32328 万国半导体FET、MOSFET 阵列
万国半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 AONL32328
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N and 2 P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V, 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 395pF @ 15V, 730pF @ 15V |
| Power - Max | 2.6W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 12-DFN-EP (4x3) |
万国半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 AONL32328产品描述
AONL32328 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。30V COMPLEMENTARY MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N and 2 P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 7A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V。
AONL32328 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 10V, 24nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（395pF @ 15V, 730pF @ 15V）、Power - Max（2.6W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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