规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta), 900mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 16V, 49pF @ 16V |
| Power - Max | 500mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-23-6 |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMC2710UVT-7产品描述
DMC2710UVT-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V。
DMC2710UVT-7 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（42pF @ 16V, 49pF @ 16V）、Power - Max（500mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
DMC2710UVT-7 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 德利通 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 DMC2710UVT-7 的最新价格和交期信息。
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