| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-UDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | HSML3030L10 |
关于 HS8K11TB
HS8K11TB 是由 ROHM Semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A。
HS8K11TB 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（17.9mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11.1nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（500pF @ 15V）、Power - Max（2W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 HS8K11TB
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