规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A, 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Power - Max | 1.5W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
ECH8690-TL-H 安森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
ECH8690-TL-H 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 60V ECH8。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A。
ECH8690-TL-H 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（55mOhm @ 2A, 10V）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（955pF @ 20V）、Power - Max（1.5W）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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