规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V, 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
AONX38168 万国半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
AONX38168 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V。
AONX38168 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24nC @ 10V, 85nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V）、Power - Max（3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
AONX38168 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 万国半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供AONX38168价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 AONX38168 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是万国半导体代理商，专业供应AONX38168等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要AONX38168的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供AONX38168现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
