| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc), 17A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V |
| Power - Max | 20.1W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Supplier Device Package | TO-252-4 |
关于 GSFD06C20
GSFD06C20 是由 固錸 semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, N+P, DUAL, 60V, TO-252-4。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)。
GSFD06C20 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 15A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V）、Power - Max（20.1W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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GSFD06C20 是由 固錸 semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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