规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | U-DFN2030-6 (Type B) |
DMN2014LHAB-7 德利通FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DMN2014LHAB-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A。
DMN2014LHAB-7 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（13mOhm @ 4A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1550pF @ 10V）、Power - Max（800mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
DMN2014LHAB-7 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 德利通 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供DMN2014LHAB-7价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 DMN2014LHAB-7 的最新价格和交期信息。
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