| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta), 1A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 50V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
关于 UT6ME5TCR
UT6ME5TCR 是由 ROHM Semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。100V 2.0A/1.0A, DUAL NCH+PCH, DF。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1A (Ta)。
UT6ME5TCR 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（90pF @ 50V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
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