| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 30V |
| Power - Max | 62.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
关于 STL50DN6F7
STL50DN6F7 是由 STMicroelectronics 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V。
STL50DN6F7 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1035pF @ 30V）、Power - Max（62.5W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 STMicroelectronics：STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...
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新闻资讯
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