| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
关于 HP8M31TB1
HP8M31TB1 是由 ROHM Semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V。
HP8M31TB1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（470pF @ 30V, 2300pF @ 30V）、Power - Max（3W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
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