规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
NDH8302P 仙童半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
NDH8302P 是由 仙童半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。P-CHANNEL MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 4.5V。
NDH8302P 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（515pF @ 10V）、Power - Max（800mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 仙童半导体：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半导体”，是全球知名的半导体解决方案供应商，以其在功率半导体和模拟集成电路领域的深厚积淀而闻名。自创立以来，仙童半导体一直致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件，成为众多行业领先企业信赖的合作伙伴。其主营产品类别广泛，涵盖了功率器件（如MOSFET、IGBT、二极管）、模拟IC（如运算放大器、数据转换器、电源管理IC）、逻辑IC以及汽车电子专用器件等。这些电子元件是现代电子设备不可或缺的基础。
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