| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 6V |
| Power - Max | 1.5W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
关于 QS8J1TR
QS8J1TR 是由 ROHM Semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A。
QS8J1TR 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（29mOhm @ 4.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（31nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2450pF @ 6V）、Power - Max（1.5W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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