规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
EPC2110ENGRT 意法半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
EPC2110ENGRT 是由 意法半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 120V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V。
EPC2110ENGRT 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 700µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.8nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（80pF @ 60V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
EPC2110ENGRT 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供EPC2110ENGRT价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 EPC2110ENGRT 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是意法半导体代理商，专业供应EPC2110ENGRT等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要EPC2110ENGRT的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供EPC2110ENGRT现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
