IRFHE4250DTRPBF 国际整流器FET、MOSFET 阵列
国际整流器 IRFHE4250DTRPBF FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A (Tc), 303A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V |
| Power - Max | 156W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 32-PowerVFQFN |
| Supplier Device Package | 32-PQFN (6x6) |
IRFHE4250DTRPBF 国际整流器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IRFHE4250DTRPBF 是由 国际整流器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。HEXFET POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V。
IRFHE4250DTRPBF 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V）、Power - Max（156W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 国际整流器：International Rectifier（中文名：国际整流器），作为一家在电子元器件行业享有盛誉的品牌，凭借其深厚的技术积淀和卓越的产品性能，在全球范围内赢得了广泛认可。自创立以来，国际整流器始终专注于高端电源管理半导体和功率器件的研发、制造与销售，为现代电子设备的发展注入强大动力。其主营产品类别涵盖了功率 MOSFET、IGBT、二极管、整流器、电源管理 IC、模拟 IC 以及一系列高集成度的电源模块等，这些**电子元件**构成了各类电子系统中的关键组成部分。
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