| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 6 N-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 379A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.45mOhm @ 360A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 944nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28070pF @ 800V |
| Power - Max | 704W (Tj) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | ACEPACK |
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