AOCA32112E 万国半导体FET、MOSFET 阵列
万国半导体 AOCA32112E FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.1W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 4-AlphaDFN (0.97x0.97) |
AOCA32112E 万国半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
AOCA32112E 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。20V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V。
AOCA32112E 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11.5nC @ 4.5V）、Power - Max（1.1W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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