MMFT8472DW 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列
泰迪半导体 MMFT8472DW FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta), 130mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 130mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
MMFT8472DW 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
MMFT8472DW 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, 50V, 0.115A, N+P, 0.2W。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), 130mA (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V。
MMFT8472DW 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（50pF @ 25V）、Power - Max（200mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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