FQS4900TF 仙童半导体FET、MOSFET 阵列
仙童半导体 FQS4900TF FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
FQS4900TF 仙童半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
FQS4900TF 是由 仙童半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 300V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, 300mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V。
FQS4900TF 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.95V @ 20mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.1nC @ 5V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 仙童半导体：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半导体”，是全球知名的半导体解决方案供应商，以其在功率半导体和模拟集成电路领域的深厚积淀而闻名。自创立以来，仙童半导体一直致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件，成为众多行业领先企业信赖的合作伙伴。其主营产品类别广泛，涵盖了功率器件（如MOSFET、IGBT、二极管）、模拟IC（如运算放大器、数据转换器、电源管理IC）、逻辑IC以及汽车电子专用器件等。这些电子元件是现代电子设备不可或缺的基础。
FQS4900TF 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 仙童半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供FQS4900TF价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 FQS4900TF 的最新价格和交期信息。
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