DI038N04PQ2-AQ 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列
泰迪半导体 DI038N04PQ2-AQ FET、MOSFET 阵列
DI038N04PQ2-AQ是泰迪半导体旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供DI038N04PQ2-AQ现货库存与价格报价查询。我们可为您提供DI038N04PQ2-AQ datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Power - Max | 31W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
DI038N04PQ2-AQ 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DI038N04PQ2-AQ 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, POWERQFN 5X6, 45V, 38A,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 45V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V。
DI038N04PQ2-AQ 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（14nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（830pF @ 30V）、Power - Max（31W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 泰迪半导体：**泰迪半导体（Diotec Semiconductor）：深耕半导体领域，提供全方位解决方案的行业专家**
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