规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2953pF @ 25V |
| Power - Max | 64W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Supplier Device Package | LFPAK56D |
BUK9K13-60EX 恩智浦半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BUK9K13-60EX 是由 恩智浦半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。BUK9K13-60E - DUAL N-CHANNEL 60V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A。
BUK9K13-60EX 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（12.5mOhm @ 10A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（22.4nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2953pF @ 25V）、Power - Max（64W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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