| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 423A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 300A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 15mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1025nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19300pF @ 600V |
| Power - Max | 1.668kW (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 WAS300M12BM2
WAS300M12BM2 是由 Wolfspeed 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。SIC, MODULE, 300A, 1200V, 62MM,。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Silicon Carbide (SiC)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)。
WAS300M12BM2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5.3mOhm @ 300A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 15mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1025nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（19300pF @ 600V）、Power - Max（1.668kW (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 Wolfspeed：Wolfspeed（中文名：Wolfspeed）是全球领先的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术领域先驱，致力于为提高能源效率和构建可持续未来提供行业领先的解决方案。作为一家在资本市场备受瞩目的公司（纽约证券交易所代码：WOLF），Wolfspeed在高性能半导体元器件领域拥有深厚的积淀和广泛的市场认可。
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新闻资讯
Wolfspeed FET、MOSFET 阵列 产品 WAS300M12BM2
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