| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 300A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29.5pF @ 1000V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 PAA12400BM3
PAA12400BM3 是由 PN结半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。1200V HALF-BRIDGE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V。
PAA12400BM3 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 100mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（29.5pF @ 1000V）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 PN结半导体：PN Junction Semiconductor，中文名“PN结半导体”，是一家专注于高性能功率半导体器件设计与销售的创新型企业，采用Fabless（无晶圆厂）模式，致力于为全球客户提供领先的电子元器件解决方案。品牌自成立以来，便与全球顶级的晶圆代工厂X-FAB建立了深厚的战略合作伙伴关系。X-FAB作为一家拥有超过30年历史且完全通过汽车行业严苛认证的晶圆厂，为PN结半导体提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，确保了产品的高品质与可靠性，使其在竞争激烈的元器件市场中脱颖而出。
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PAA12400BM3 是由 PN结半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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