规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 333A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 166.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1184nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40800pF @ 25V |
| Power - Max | 1250W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP4 |
| Supplier Device Package | SP4 |
APTM20DUM05TG 美高森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
APTM20DUM05TG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V。
APTM20DUM05TG 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 8mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1184nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（40800pF @ 25V）、Power - Max（1250W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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