规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11200pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP4 |
| Supplier Device Package | SP4 |
APTM50DUM38TG 美高森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
APTM50DUM38TG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 500V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V。
APTM50DUM38TG 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（246nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（11200pF @ 25V）、Power - Max（694W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
APTM50DUM38TG 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供APTM50DUM38TG价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 APTM50DUM38TG 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应APTM50DUM38TG等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要APTM50DUM38TG的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供APTM50DUM38TG现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
