规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.2A (Ta), 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 32 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
安森美 单 FET、MOSFET 产品 NTD5406NT4G产品描述
NTD5406NT4G 是由 安森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。NTD5406 - POWER MOSFET 40V 70A 1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V。
NTD5406NT4G 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（10mOhm @ 30A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（45 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2500 pF @ 32 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
NTD5406NT4G 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 安森美 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 NTD5406NT4G 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是安森美代理商，专业供应NTD5406NT4G等单 FET、MOSFET 产品。我们提供NTD5406NT4G现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取NTD5406NT4G的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
