| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
关于 GPI65060DFN
GPI65060DFN 是由 GaNPower 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GPI65060DFN 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 3.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（16 nC @ 6 V）、Vgs (Max)（+7.5V, -12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（420 pF @ 400 V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 GaNPower：GaNPower develops high-performance Gallium Nitride (GaN) based power devices and related ICs in various packaging forms. With patented circuit topologies, we provide new-generation system solutions that are suitable for GaN technologies.
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GaNPower 单 FET、MOSFET 产品 GPI65060DFN
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