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GPIXV30DFN

¥0.00
单 FET、MOSFET
GaNPower

GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-DFN (8x8)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad

关于 GPIXV30DFN

GPIXV30DFN 是由 GaNPower 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A、Mounting Type: Surface Mount。

GPIXV30DFN 共有 8 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package(8-DFN (8x8))、Package / Case(8-WDFN Exposed Pad) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 GaNPower:GaNPower develops high-performance Gallium Nitride (GaN) based power devices and related ICs in various packaging forms. With patented circuit topologies, we provide new-generation system solutions that are suitable for GaN technologies.

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GPIXV30DFN 是什么类型的电子元器件?

GPIXV30DFN 是由 GaNPower 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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