
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (8x8) |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
关于 GPIXV30DFN
GPIXV30DFN 是由 GaNPower 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A、Mounting Type: Surface Mount。
GPIXV30DFN 共有 8 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package(8-DFN (8x8))、Package / Case(8-WDFN Exposed Pad) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 GaNPower:GaNPower develops high-performance Gallium Nitride (GaN) based power devices and related ICs in various packaging forms. With patented circuit topologies, we provide new-generation system solutions that are suitable for GaN technologies.
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新闻资讯
GaNPower 单 FET、MOSFET 产品 GPIXV30DFN
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