| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.86 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | 3-NP |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
关于 5HN02N
5HN02N 是由 安森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。5HN02 - N-CHANNEL SILICON MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
5HN02N 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.3Ohm @ 100mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 100µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.86 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（22 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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