| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2064 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
关于 ICE20N60EFP
ICE20N60EFP 是由 艾斯莫斯科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。Superjunction MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
ICE20N60EFP 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（190mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.9V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（59 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2064 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾斯莫斯科技：艾斯莫斯科技（IceMOS Technology）是一家源自美国的高压超结（Superjunction）功率MOSFET元器件供应商。我们深耕半导体领域，致力于通过独创的IceMOS设计和领先的知识产权，为全球客户提供卓越的电源管理解决方案，驱动电子系统的能效提升。作为一家专业的电子元件制造商，艾斯莫斯科技专注于研发和生产高性能功率器件，其核心产品线涵盖了从600V到750V的宽电压范围，能够满足各类严苛的工业及消费电子应用需求。
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ICE20N60EFP 是由 艾斯莫斯科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
艾斯莫斯科技 单 FET、MOSFET 产品 ICE20N60EFP
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