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GPI4TIC15DFV

¥67.39
RF FET、MOSFET
GaNPower

Power IC based on Power GaN HEMT

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET
ConfigurationN-Channel
Frequency-
Gain-
Voltage - Test6.5 V
Current Rating (Amps)-
Noise Figure-
Current - Test2.5 A
Power - Output-
Voltage - Rated900 V
Mounting Type-
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package8-DFN (8x8)

关于 GPI4TIC15DFV

GPI4TIC15DFV 是由 GaNPower 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。Power IC based on Power GaN HEMT。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET、Configuration: N-Channel、Voltage - Test: 6.5 V、Current - Test: 2.5 A、Voltage - Rated: 900 V。

GPI4TIC15DFV 共有 8 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case(8-WDFN Exposed Pad)、Supplier Device Package(8-DFN (8x8)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 GaNPower:GaNPower develops high-performance Gallium Nitride (GaN) based power devices and related ICs in various packaging forms. With patented circuit topologies, we provide new-generation system solutions that are suitable for GaN technologies.

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GPI4TIC15DFV 是什么类型的电子元器件?

GPI4TIC15DFV 是由 GaNPower 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 GPI4TIC15DFV 的规格书和引脚图?

本页面提供 GPI4TIC15DFV 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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