BLF8G20LS-220J 恩智浦半导体RF FET、MOSFET
恩智浦半导体 BLF8G20LS-220J RF FET、MOSFET
BLF8G20LS-220J是恩智浦半导体旗下的RF FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BLF8G20LS-220J现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BLF8G20LS-220J datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | N-Channel |
| Frequency | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 18.9dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 4.2µA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 1.6 A |
| Power - Output | 55W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-502B |
| Supplier Device Package | SOT502B |
BLF8G20LS-220J 恩智浦半导体RF FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BLF8G20LS-220J 是由 恩智浦半导体 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。BLF8G20LS-200V - Power LDMOS tra。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Configuration: N-Channel、Frequency: 1.81GHz ~ 1.88GHz、Gain: 18.9dB、Voltage - Test: 28 V。
BLF8G20LS-220J 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current Rating (Amps)（4.2µA）、Current - Test（1.6 A）、Power - Output（55W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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