BLM6G22-30G,118 恩智浦半导体RF FET、MOSFET
恩智浦半导体 BLM6G22-30G,118 RF FET、MOSFET
BLM6G22-30G,118是恩智浦半导体旗下的RF FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BLM6G22-30G,118现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BLM6G22-30G,118 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS (Dual) |
| Configuration | - |
| Frequency | 2.1GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 30dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 3A, 9A |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 280 mA |
| Power - Output | 30W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-822-1 |
| Supplier Device Package | 16-HSOP |
BLM6G22-30G,118 恩智浦半导体RF FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BLM6G22-30G,118 是由 恩智浦半导体 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。BLM6G22 - LDMOS Power MMIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS (Dual)、Frequency: 2.1GHz ~ 2.2GHz、Gain: 30dB、Voltage - Test: 28 V、Current Rating (Amps): 3A, 9A。
BLM6G22-30G,118 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Test（280 mA）、Power - Output（30W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOT-822-1） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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