MHTG1200HSR3 恩智浦半导体RF FET、MOSFET
恩智浦半导体 MHTG1200HSR3 RF FET、MOSFET
MHTG1200HSR3是恩智浦半导体旗下的RF FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MHTG1200HSR3现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MHTG1200HSR3 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | GaN |
| Configuration | 2 N-Channel |
| Frequency | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Gain | - |
| Voltage - Test | - |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | - |
| Power - Output | 300W |
| Voltage - Rated | 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
MHTG1200HSR3 恩智浦半导体RF FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
MHTG1200HSR3 是由 恩智浦半导体 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。RF POWER GAN TRANSISTOR, 300 W C。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: GaN、Configuration: 2 N-Channel、Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz、Power - Output: 300W、Voltage - Rated: 50 V。
MHTG1200HSR3 共有 9 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（NI-780S-4L）、Supplier Device Package（NI-780S-4L） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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