BLF6G10LS-200,118 恩智浦半导体RF FET、MOSFET
恩智浦半导体 BLF6G10LS-200,118 RF FET、MOSFET
BLF6G10LS-200,118是恩智浦半导体旗下的RF FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BLF6G10LS-200,118现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BLF6G10LS-200,118 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 871.5MHz |
| Gain | 20.2dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 49A |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 1.4 A |
| Power - Output | 40W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-502B |
| Supplier Device Package | SOT502B |
BLF6G10LS-200,118 恩智浦半导体RF FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BLF6G10LS-200,118 是由 恩智浦半导体 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 871.5MHz、Gain: 20.2dB、Voltage - Test: 28 V、Current Rating (Amps): 49A。
BLF6G10LS-200,118 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Test（1.4 A）、Power - Output（40W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（SOT-502B） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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