| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 2.12GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 1.9 A |
| Power - Output | 44W |
| Voltage - Rated | 68 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | NI-1230 |
| Supplier Device Package | NI-1230 |
关于 MRF6P21190HR5
MRF6P21190HR5 是由 飞思卡尔 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 2.12GHz、Gain: 15.5dB、Voltage - Test: 28 V、Current - Test: 1.9 A。
MRF6P21190HR5 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Output（44W）、Voltage - Rated（68 V）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（NI-1230）、Supplier Device Package（NI-1230） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 飞思卡尔：**飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）：嵌入式处理的先驱与创新者**
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新闻资讯
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