| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 3.2GHz ~ 4GHz |
| Gain | 27.8dB |
| Voltage - Test | - |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | - |
| Power - Output | 3.4W |
| Voltage - Rated | 28 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-17 |
关于 A3I35D025GNR1
A3I35D025GNR1 是由 恩智浦半导体 制造的 RF FET、MOSFET 类电子元器件。AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 3.2GHz ~ 4GHz、Gain: 27.8dB、Power - Output: 3.4W、Voltage - Rated: 28 V。
A3I35D025GNR1 共有 9 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-270-17 Variant, Gull Wing）、Supplier Device Package（TO-270WBG-17） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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恩智浦半导体 RF FET、MOSFET 产品 A3I35D025GNR1
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