| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
关于 BSO615NGXUMA1
BSO615NGXUMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 8-SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A。
BSO615NGXUMA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（150mOhm @ 2.6A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 20µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（380pF @ 25V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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BSO615NGXUMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 BSO615NGXUMA1
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