| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.98A, 3.36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| Power - Max | 870mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
关于 ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3F381N8TC 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A。
ZXMHC3F381N8TC 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（33mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（9nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（430pF @ 15V）、Power - Max（870mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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新闻资讯
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 ZXMHC3F381N8TC
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