| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2615pF @ 30V |
| Power - Max | 2.8W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
关于 DMTH6010LPDQ-13
DMTH6010LPDQ-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V。
DMTH6010LPDQ-13 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（40.2nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2615pF @ 30V）、Power - Max（2.8W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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DMTH6010LPDQ-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMTH6010LPDQ-13
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