| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel Complementary |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta), 700mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 10V, 151pF @ 10V |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
关于 PJT7600_R1_00001
PJT7600_R1_00001 是由 磐成 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel Complementary、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V。
PJT7600_R1_00001 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（92pF @ 10V, 151pF @ 10V）、Power - Max（350mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 磐成：PANJIT（磐成）作为一家全球性的集成器件制造商（IDM），凭借其深厚的技术积淀和前瞻性的发展战略，致力于为全球客户提供卓越的电子元器件解决方案。公司拥有丰富的产品线，涵盖了广泛的电子元件类型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二极管、前沿的碳化硅（SiC）器件、经典的双极结型晶体管（BJT）、整流桥等关键电子元器件。这些产品凭借其出色的性能和可靠的质量，广泛应用于各种严苛的电子设备之中。
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新闻资讯
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