| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 70mA, 700mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 200 mW |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
关于 MMBT596-DV4
MMBT596-DV4 是由 固錸 semiconductor 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANSISTOR, NPN, 700MA, 30V, 200。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
MMBT596-DV4 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（110 @ 100mA, 1V）、Power - Max（200 mW）、Frequency - Transition（170MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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MMBT596-DV4 是由 固錸 semiconductor 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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