规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V, 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
| Power - Max | 69W, 96W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Supplier Device Package | PG-TO263-5-1 |
BTS7904BATMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BTS7904BATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A。
BTS7904BATMA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（11.7mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 40µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（121nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6100pF @ 25V）、Power - Max（69W, 96W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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