规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
IRF7506TRPBF 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IRF7506TRPBF 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A。
IRF7506TRPBF 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（270mOhm @ 1.2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（180pF @ 25V）、Power - Max（1.25W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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