APTC60HM83FT2G 美高森美FET、MOSFET 阵列
美高森美 FET、MOSFET 阵列 产品 APTC60HM83FT2G
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7290pF @ 25V |
| Power - Max | 250W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
美高森美 FET、MOSFET 阵列 产品 APTC60HM83FT2G产品描述
APTC60HM83FT2G 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V。
APTC60HM83FT2G 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 3mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（255nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7290pF @ 25V）、Power - Max（250W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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