规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | PG-TSOP6-6 |
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 BSL806NL6327HTSA1产品描述
BSL806NL6327HTSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A。
BSL806NL6327HTSA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（57mOhm @ 2.3A, 2.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（750mV @ 11µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.7nC @ 2.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（259pF @ 10V）、Power - Max（500mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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